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Domestic High-End Semiconductor Inspection Equipment Officially Released: Multiple Performance Indicators Surpass International Counterparts

国产高端半导体检测设备正式发布:多项性能指标超越国际同类产品

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凤凰网科技
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This article reports on the official launch of China's first integrated electrical failure analysis device by Anhui Lingguang Infrared Technology Co., Ltd., which combines EMMI and OBIRCH microscopy and claims performance exceeding international standards, supporting the domestic semiconductor industry's self-sufficiency.
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快科技6月29日消息,据“科大硅谷”公众号发文,合肥场景重点服务企业安徽凌光红外科技有限公司(以下简称凌光红外)正式发布LUXETVERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化(EMMI+OBIRCH)二合一显微镜。<br> 这款国内首创的集成化电性失效分析设备的正式发布,将为集成电路产业自主可控注人强动能。<br> 当前,全球半导体产业步入先进制程时代,芯片内部结构愈发精密复杂,电性失效分析成为芯片研发迭代、良率提升与品质保障的核心环节。<br> 在此背景下,凌光红外深耕光学成像与精密检测领域,坚持正向研发,持续攻关电性失效分析核心技术,接连推出锁相红外显微镜、微光显微镜、激光诱导电阻变化显微镜等系列产品,多项性能指标超越国际同类产品。此次推出的二合一集成设备,更是实现技术融合创新,填补国内市场空白。<br> 据介绍,LUXET VERITAS二合一显微镜深度融合EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流失效分析功能,一机两用、高度集成,全面覆盖半导体全链条检测需求。<br> 在核心硬件与性能参数上,设备搭载深度制冷近红外相机与大口径自研1.35倍物镜,EMMI模块可精准定位纳安级微弱漏电,高效识别PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电、多晶硅缺陷等典型失效问题。<br> OBIRCH模块采用1300nm标准激光波段、500mW额定功率,可实现pA级超高精度电流放大测量,精准排查金属线路、导通孔、接触孔阻值异常等隐蔽缺陷。<br> 自2025年落地合肥科大硅谷片区以来,凌光红外加速推进核心技术产业化,多款产品先后获评合肥市“三新”产品、安徽省首台套重大技术装备国际先进认定。<br> 依托产业链专场场景对接会,企业与合肥半导体产业链链主企业实现精准对接,并逐步建立起稳定合作关系,为国产高端半导体检测设备在本地产业链中的应用推广奠定了坚实基础。<br> “特别声明:以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为凤凰网旗下自媒体平台“大风号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储空间服务。<br> Notice: The content above (including the videos, pictures and audios if any) is uploaded and posted by the user of Dafeng Hao, which is a social media platform and merely provides information storage space services.”