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2021-12-30
From COCOM to Wassenaar Arrangement: Evolution of Export Control Regimes
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mofcom
This document traces the historical development of international export control mechanisms from the Coordinating Committee for Multilateral Export Controls (COCOM) to the Wassenaar Arrangement, detailing their管制 lists and the inclusion of semiconductor substrates.
Document Text
2,195 characters
一、从“巴统”禁运到“瓦协”的管制 <br>
在美国的提议下,1949年11月,美国、英国、法国、意大利、荷兰、比利时六国召开会议,与会国同意制订“国际安全管制清单”。1950年1月9日,上述六国召开会议,成立“多边出口管制统筹委员会”(Coordinating Committee for Multilateral Export Controls ,缩写为COCOM),其总部设在巴黎的美国驻法国大使馆内,因此被称为“巴黎统筹委员会”,简称“巴统”。 <br>
“巴统”是二战后发达工业国家在国际贸易领域中纠集起来的一个国际机构,其宗旨是限制成员国向社会主义国家出口战略物资和高技术。“巴统”设立之初,列入禁运清单的有军品、原子能和针对两用物项的产业清单,被禁运的对象不仅有社会主义国家,还包括一些民族主义国家,总数约30个。 <br>
当时对物项的出口管制非常严格,成员国准备向受限制的国家出口清单内的货物和技术时,必须向“巴统”提出申请,经所有成员国政府一致同意后,才能签发出口许可证。为加强出口管制执行力度,“巴统”甚至建立了进口证明和发货后的核查制度。 <br>
随着国际政治经济形势的变化和科学技术的快速发展,出于自身经济利益的考虑,1988、1989年,西欧国家不断与美国进行激烈讨论,要求“修正和缩减”禁运物项。1990年,“巴统”大幅度放宽对苏联和东欧国家的高技术产品出口限制,只对保障西方安全所必需的两用物项和技术实施管制。 <br>
1991年12月25日苏联解体,长达44年(1947-1991年)的美苏“冷战”随即结束。同月,时任美国总统布什倡议建立一个有别于“巴统”的“新”多边机制,对两用物项出口实施管制。 <br>
1993年11月16日,“巴统”17个成员国代表达成共识,同意解散“巴统”,建立新的多边机制。1994年3月31日,“巴统”正式解散。 <br>
1995年9月,包括原“巴统”17个成员国在内的28个国家,在荷兰瓦森纳召开高层会议,决定加快建立常规武器和两用物项出口管控机制,弥补当时大规模杀伤性武器及其运载工具管控机制的不足。 <br>
1996年7月,以西方国家为主的33个国家在奥地利维也纳签署了《关于常规武器和两用物品及技术出口控制的瓦森纳安排》(简称瓦森纳安排,“瓦协”),决定从1996年11月1日起实施新的“管制清单”和“信息交流”原则。 <br>
“瓦协”旨在通过成员间的信息通报制度,提高常规武器和两用物项技术转让的透明度,以达到对常规武器和两用物项相关技术转让的监督和控制;并强调“瓦协”不针对任何国家和国家集团,不妨碍正常的民间贸易,也不干涉通过合法方式获得自卫武器的权利。 <br>
二、“瓦协”的管制清单 <br>
“瓦协”延续了“巴统”的两用清单和军品清单,对九类物项实施管控。从物项清单中可以清晰地看出,一个国家要发展成为工业强国,这些技术是迈不过去的“坎”,是一个国家的工业基础、关键技术。也可以看作是西方国家为实现技术霸权,为不同阵营的竞争对手在其技术发展必经之路上设置的 “路障”。 <br>
每年,“瓦协”都会召开全会,就有关问题进行讨论,并就清单调整征求意见。基本上每年都要根据技术发展趋势和各成员国要求对清单进行调整。 <br>
三、半导体基板一直被列管 <br>
自1996年7月“瓦协”成立以来,半导体基板就一直被列管。随着产业技术的不断升级,半导体基板的管制经历了4次调整: <br>
(1)2000年列管范围中新增碳化硅——Silicon Carbide (SiC); <br>
(2)2007年删除对镓或铟III/V族化合物的技术说明; <br>
(3)2011年为镓或铟III/V族化合物增加备注——不再对九类基板(GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP或InGaAlP)实施管制; <br>
(4)2016年放松对3种额外不敏感“基板”GaAs, AlGaAs, InP的管控。 <br>
在目前的最新清单中,半导体基板为具有由下述元素的多层外延生长构成的异质外延材料:a. 硅(Si); b. 锗(Ge);c. 碳化硅(SiC);或d. 镓或铟“III/V族化合物”。但不适用于具有独立于元素序列的1个或多个GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs ,InP, InGaP, AlInP或InGaAlP (上述12种化合物)的P型外延层“基板”,即上述12种镓或铟“III/V族化合物”基板不属于管制范围。 <br>
但“瓦协”对基板的管制有所放松,并不意味着对半导体技术管制的放松,近年来,“瓦协”清单多次调整涉及半导体的相关物项: <br>
2017年新增掩模“衬底坯料”; <br>
2017年新增多晶“基材”或多晶陶瓷“基材”; <br>
2019年新增对掩模的说明; <br>
2019年新增计算光刻软件的说明; <br>
2019年新增对300mm直径硅片技术的管制。 <br>
从底衬、基材、硅片,到掩模、光刻软件,可以说针对半导体涉及的所有关键技术,“瓦协”的出口管制已经做到了应管尽管,而且是“与时俱进”,随着技术的发展趋势,管控的参数也不断进阶。 <br>
(作者:沈和风) <br>
注:以上内容仅代表作者本人观点,请读者仅作参考。<br>
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Topics
export controls
semiconductor substrates
Wassenaar Arrangement
Metadata
| Publisher | ????? |
| Site | mofcom |
| Date | 2021-12-30 |
| Category | report |
| Policy Area | 出口管制 |
| CMS Category | 出口管制-各方观点 |
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